新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动 N 沟道 MOSFET，以及适用于高侧开关应用的 -55 V 和 -100 V 标准栅极驱动 P 沟道 MOSFET ，这些技术不需要额外的栅极驱动电荷泵。有关的30V、55V 和 100V 逻辑电平栅极驱动 N 沟道 MOSFET 简化了栅极驱动要求，能够减少电路板空间和零件数量。所有这些新器件都针对低导通电阻 (Rds(on)) 进行了优化。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过使用 IR 经过验证的平面技术，这些新型车用器件平台在线性模式以及需要用坚固的 MOSFET 来驱动高感性负载的应用中表现出色。此外，这些器件非常适合采用较高电路板净电压的汽车，如卡车等。”

新器件符合 AEC-Q101 标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过 1,000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR的新款 AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。